對于Redmi Note 9 Pro來說，高性能的奧秘其實(shí)并不僅僅在于新主控。因?yàn)槌蓑旪?50G之外，Redmi Note9 Pro還支持新一代UFS2.2閃存存儲，配合Write Turbo順序?qū)懭朐鰪?qiáng)的特性，順序?qū)懭胨俣瓤山咏?00MB/s，相較UFS2.1提升一倍。

眾所周知，目前行業(yè)最快的閃存規(guī)范是UFS 3.1，但那是只有少數(shù)頂級旗艦芯片才能支持的技術(shù)，而對于中端主控來說，就算強(qiáng)行裝上UFS 3.1閃存，因?yàn)樾酒旧聿患嫒?，也只能降速工作在UFS 2.1或者2.0模式下。在這樣的前提下，引入了UFS 3.1的寫入加速技術(shù)，同時(shí)對中端SoC兼容性更好的UFS 2.2閃存，就成為了同級別中性能最好的選擇。從AndroBench與安兔兔的測試結(jié)果來看，Redmi Note 9 Pro上使用的UFS 2.2閃存，已經(jīng)可以達(dá)到近500MB/s的寫入和1000MB/s的讀取速度。換句話說，即便未來5G網(wǎng)絡(luò)的帶寬提升到現(xiàn)在的四倍，其磁盤性能也足以應(yīng)對當(dāng)時(shí)的滿速下載需求了。