在這個(gè)閃存存儲(chǔ)方面，Redmi Note9 Pro也采用了全新的UFS 2.2閃存，這種新閃存運(yùn)用了Write Turbo技術(shù)，在連續(xù)寫(xiě)入速度上升級(jí)明顯，比UFS 2.1閃存快1倍。HPB技術(shù)則使隨機(jī)讀取速度增強(qiáng)，24個(gè)月使用降低卡頓45%。這些技術(shù)在存儲(chǔ)測(cè)試中體現(xiàn)得很明顯。

從我們的實(shí)際測(cè)試中也得以看出，Redmi Note9 Pro的連續(xù)寫(xiě)入速度近500MB/s，隨機(jī)的讀寫(xiě)速度也非常之快。有著新硬件加持的Redmi Note9 Pro，性能上根本不需要我們擔(dān)心，對(duì)于其性能我們來(lái)看一下跑分成績(jī)作為參考。其安兔兔評(píng)測(cè)跑分超過(guò)35萬(wàn)分，從分?jǐn)?shù)上來(lái)看是目前中端芯片的領(lǐng)跑者了。

我們?cè)谶@里也想說(shuō)一點(diǎn)，UFS 2.2或許跟UFS 3.1類似，均是在協(xié)議上的升級(jí)。對(duì)比同樣采用Write Turbo和HPB的Redmi 10X Pro，兩部手機(jī)在存儲(chǔ)速度的測(cè)試上完全是同一水準(zhǔn)的。