vivo S9是聯(lián)發(fā)科5G新U——天璣1100的首發(fā)機(jī)型,天璣1100所采用的是臺(tái)積電6nm制程工藝,其沿用了7nm工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則。臺(tái)積電現(xiàn)在的7nm工藝有兩個(gè)版本,第一代7nm(N7)采用傳統(tǒng)DUV光刻技術(shù),第二代7nm+(N7+)則是首次加入EUV極紫外光刻。
6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術(shù),相比7nm+(N7+)增加了一個(gè)極紫外光刻層,同時(shí)相比7nm(N7)可將晶體管密度提升18%,而且設(shè)計(jì)規(guī)則完全兼容7nm(N7),便于升級(jí)遷移,降低成本,相比之下7nm+(N7+)則是另一套設(shè)計(jì)規(guī)則。
CPU方面,天璣1100采用4+4架構(gòu),包含4個(gè)主頻為2.6GHz的Cortex-A78以及4個(gè)2.0GHz的Cortex-A55。
GPU部分,vivo S9所搭載的天璣1100集成9個(gè)Mali-G77核心,相比較天璣1000 Plus沒有任何變化。
先使用Prefdog測試功耗,先將手機(jī)所有后臺(tái)關(guān)閉,亮度最低,僅開啟WiFi,測試手機(jī)在此時(shí)的空載功耗,具體方法為選擇手機(jī)桌面為測試軟件,將手機(jī)靜置不做任何操作,得到一段功耗曲線和平均功耗值,對(duì)數(shù)值進(jìn)行記錄。
再分別使用Geekbench、GFXbench進(jìn)行跑分,跑分時(shí)采集平均功耗數(shù)據(jù)并減去空載數(shù)據(jù),得到手機(jī)處理器的功耗。結(jié)合測試結(jié)果,最終便得到了幀率、功耗,以及由此計(jì)算得出的能耗比數(shù)據(jù)。
為了更為直觀地感受兩者區(qū)別,我們直接測試結(jié)果和能效比計(jì)算結(jié)果匯總到以上表格當(dāng)中,以供參考。