Redmi K50電競(jìng)版搭載了全新一代驍龍8平臺(tái)，匹配滿血版LPDDR5內(nèi)存以及升級(jí)版UFS3.1閃存無(wú)論驍龍888還是驍龍8 Gen1，芯片本身的極限性能都來(lái)到了一個(gè)非常不錯(cuò)的水平，但發(fā)熱問(wèn)題很大程度上限制了其實(shí)際性能釋放。對(duì)于現(xiàn)在的驍龍8Gen1手機(jī)來(lái)說(shuō)，性能部分比拼的關(guān)鍵，就演變成了哪家能將手機(jī)的散熱能力做到更好。

大的方面來(lái)看，Redmi K50電競(jìng)版同樣選擇了被動(dòng)散熱方案。被動(dòng)散熱的原理不難理解，就是通過(guò)增加易導(dǎo)熱材料的面積，來(lái)提升機(jī)身內(nèi)部熱量和外界冷空氣的傳遞效率，達(dá)到給手機(jī)散熱的效果。不過(guò)由于需要考慮內(nèi)部堆疊、成本、材質(zhì)等多方面因素，各家的散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)會(huì)有一定差異。

在散熱這件事情上，Redmi K50電競(jìng)版做大的特點(diǎn)就是堆料足，這次Redmi在它的機(jī)身內(nèi)部用到了總面積達(dá)到4860mm3的雙VC。其中，超薄不銹鋼材質(zhì)的主VC覆蓋于SoC以及電池上半部分，并且毛細(xì)網(wǎng)做了親水處理，提升毛細(xì)性能的之外，毛線網(wǎng)也更薄。

所帶來(lái)的直接好處是蒸汽通道的空間會(huì)有一定程度增加，VC散熱能力相應(yīng)更好。另外我們從官方那里了解到，主VC和SoC之間的導(dǎo)熱介質(zhì)做了改進(jìn)，由凝膠換成了銅塊，對(duì)于提升導(dǎo)熱效率多少也有幫助。面積相當(dāng)較小的副VC，主要覆蓋于兩顆充電IC上，用來(lái)降低充電時(shí)所產(chǎn)生的熱量。

到這里還不算完，Redmi電競(jìng)版正面用到了一整片石墨烯來(lái)連通上下VC，背面升級(jí)到了3D高功率石墨，天線區(qū)域則迎來(lái)了第二代航天石墨烯。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，以上這一系列全新散熱結(jié)構(gòu)以及新材料的運(yùn)用，除了能讓手機(jī)內(nèi)部熱量更快排出，也強(qiáng)調(diào)了背面溫度的均衡性，避免出現(xiàn)燙手的情況。

以Redmi K50電競(jìng)版作為主力游戲手機(jī)使用的這段時(shí)間，我個(gè)人的感受，是它的整體散熱表現(xiàn)比較令人滿意，26℃的室內(nèi)溫度調(diào)節(jié)下連續(xù)玩半個(gè)小時(shí)英雄聯(lián)盟手游，不會(huì)明顯感覺(jué)到機(jī)身背面溫度上升，其它諸如王者榮耀以及和平精英基本也是類(lèi)似的情況。

至于原神，高畫(huà)質(zhì)60幀的情況下連續(xù)玩半個(gè)小時(shí)的話，機(jī)身溫度會(huì)有一定程度上升，但沒(méi)有出現(xiàn)燙手的情況，游戲過(guò)程中偶爾會(huì)有掉幀的問(wèn)題，不過(guò)整體畫(huà)面流暢度很高，這一點(diǎn)無(wú)需擔(dān)心。