Redmi K50電競版搭載了驍龍8 Gen 1處理器，在散熱上下了不少功夫，號稱“挑戰(zhàn)極限散熱的冷血旗艦”。從整機結構，到芯片導熱、VC均熱、石墨熱擴散，針對整個熱鏈路做5大材料升級，全環(huán)節(jié)提升散熱效率，成本增加2.5倍。據(jù)介紹，Redmi K50電競版搭載「雙VC」雙重散熱，熱設計進行了重構。

在這個散熱方面，Redmi K50電競版采用了總面積高達4860mm2的超大面積雙VC散熱材質，其中主VC散熱面積為4015mm2，主要覆蓋處理器以及電池上半部分，經(jīng)過特殊工藝處理后散熱效率提升40%。

副VC面積為845mm2，主要用于副板兩顆充電IC散熱，通過創(chuàng)新性的3D段差結構，可以讓VC與熱源緊密貼合在一起，進一步提高散熱效率。

通過溫度檢測數(shù)據(jù)可以看到，在《原神》運行時，CPU的溫度為34℃，在運行15分鐘左右溫度穩(wěn)定在50℃，而反應到機身上，正面的最高溫度為44.7℃，背面溫度最高為45.2℃，在游戲時的整體表現(xiàn)還是非常不錯的。

Redmi K50電競版還提供了金屬散熱磁吸保護殼，可以與黑鯊冰峰制冷背夾2磁吸版配合使用，從而實現(xiàn)更高效的散熱效果。長時間游戲時可以通過這套散熱組合來增強散熱能力。