作為今年聯(lián)發(fā)科的高端旗艦芯片，天璣9000自發(fā)布之日起就一直備受關(guān)注，這次 K50 Pro 直接采用這款芯片看來也是對它的性能表現(xiàn)十分自信。再搭配滿血版 LPDDR5 內(nèi)存以及升級版UFS 3.1高速閃存，Redmi K50 Pro可謂旗艦性能三大件全面配?。為了盡情釋放性能，Redmi K50 Pro內(nèi)置了豪華的散熱系統(tǒng)，面積高達(dá)3950mm2的不銹鋼VC、7層石墨等一個(gè)都不落下。接下來，我們就來看看具體游戲的表現(xiàn)。

這次我們依然選擇《和平精英》、《王者榮耀》和《原神》三款當(dāng)下的熱門手游，并在系統(tǒng)設(shè)置-省電與電池中開啟性能模式，在游戲工具箱中選擇性能模式。

在開始測試前，我們使用溫度槍測量了手機(jī)表面的溫度，在室溫18℃的情況下，靜置時(shí)Redmi K50 Pro表面溫度保持在30℃上下。

首先是壓力較低的《和平精英》，由于軟件方的限制，最高可開啟流暢畫質(zhì)下的60幀模式。

從監(jiān)控軟件來看，Redmi K50 Pro30分鐘的游戲過程中平均幀率穩(wěn)定在59.60幀，并且卡頓（4次/小時(shí)）和最差丟幀（4幀）的表現(xiàn)都很不錯(cuò)。

從曲線圖來看，CPU的壓力并不算高，看來60幀《和平精英》并不會對Redmi K50 Pro帶來什么挑戰(zhàn)，大核干脆就沒跑起來...

30分鐘的游戲之后我們使用溫槍測量了手機(jī)表面的溫度，Redmi K50 Pro屏幕處為33.2℃，電池處中心為32.9℃，SoC處為33.9℃，邊框最高溫度為31.2℃，溫度上升幅度非常低。

接著我們測試了可以開啟120幀模式的《王者榮耀》，也終于能充分發(fā)揮Redmi K50 Pro的這塊120Hz高刷屏幕，享受最極致的對戰(zhàn)。

在這一設(shè)置下，我們在30分鐘的游戲過程中輕松跑出了116幀的高幀成績。

可以看到在運(yùn)行120幀模式的《王者榮耀》時(shí)，Redmi K50 Pro的CPU壓力明顯上升，在30分鐘的游戲過程中出現(xiàn)了幾次小的卡頓，導(dǎo)致不能滿幀，不過對于實(shí)際游戲體驗(yàn)來說無傷大雅。

30分鐘的游戲之后我們使用溫槍測量了手機(jī)表面的溫度，Redmi K50 Pro屏幕處為32.4℃，電池處中心為31.6℃，SoC處為33.8℃，邊框最高溫度為31.8℃，溫度上升的幅度依然非常低。

可以看到無論是《和平精英》還是《王者榮耀》對于Redmi K50 Pro都無法帶來足夠大的壓力，那么測試的重頭還是要看《原神》中的表現(xiàn)了。

首先我們選擇在稻妻主城進(jìn)行了30分鐘的壓力測試，來看一看Redmi K50 Pro的溫控、幀率和性能釋放表現(xiàn)如何。

在30分鐘的壓力測試下，Redmi K50 Pro跑出了59.23幀的平均幀數(shù)，74次/小時(shí)的卡頓數(shù)和最差36幀的丟幀情況，這一成績還算不錯(cuò)。

接著我們來看下曲線圖。需要注意兩個(gè)方面，其一是雖然幀率有出現(xiàn)波動，但是整體的幀率曲線還是比較平穩(wěn)的，并沒有過熱降頻；其二則是多個(gè)核心會始終參與工作，并且壓力非常平均的分配到多個(gè)核心上，沒有出現(xiàn)一核著火多核圍觀的情況。

30分鐘的游戲之后我們使用溫槍測量了手機(jī)表面的溫度，Redmi K50 Pro屏幕處為39.7℃，電池處中心為36.7℃，SoC處為43.5℃，邊框最高溫度為37.9℃，溫度上升幅度較大，手持時(shí)已經(jīng)有比較明顯的熱感。

接著我們考慮到玩家的實(shí)際游戲場景，進(jìn)行了5分鐘的實(shí)測，進(jìn)行釋放技能、跑圖等操作。可以看到在這樣操作更復(fù)雜、特效更繁多的場景中Redmi K50 Pro并沒能保持滿幀，而是來到了56.5幀。

從曲線圖來看，基本與我們在游戲過程中的感知差不多：在特效較多的情況下，偶爾釋放技能的瞬間會出現(xiàn)一定的卡頓，不過整體的流暢度也還是不錯(cuò)的。

整體來看，除了《原神》的游戲壓力較大外，其他兩款手機(jī)進(jìn)行長時(shí)間游戲時(shí)并不會給Redmi K50 Pro帶來什么負(fù)擔(dān)；而在《原神》的測試中我們也可以發(fā)現(xiàn)Redmi K50 Pro并沒有做到最極限的性能釋放，可能還是考慮到溫控因素吧。