散熱方面，Redmi K50 Pro搭載了總面積為3950mm2的超大VC液冷，同時還配備7層石墨散熱，這次的采用了新一代超薄不銹鋼VC液冷均熱板，面積更大，高效散熱，還有內(nèi)置的7層石墨，銅箔和凝膠等多種導(dǎo)熱材料，散熱效果真的很出色，實際散熱體驗怎么樣呢？

在發(fā)熱方面，Redmi設(shè)定的表面溫度線可能就是48度。27.5度室溫，200nit屏幕亮度，濕度77%，Redmi K50 Pro在30分鐘3DMarkWildLife壓力測試，穩(wěn)定性65.1%，最高溫在正面，48度。表現(xiàn)明顯好于驍龍8 Gen 1機型，畢竟這種環(huán)境下，很多驍龍8 Gen 1根本沒法堅持完測試。

而如果是20分鐘《和平精英》HDR高清+極限幀數(shù)+抗鋸齒，27.5度室溫+200nit亮度，Redmi K50 Pro最高溫40度，同樣出現(xiàn)在正面。2年前的大型游戲，在這一代的GPU面前，根本就是毛毛雨。

在GPUGFLOPS中，Redmi K50 Pro強制2K120Hz+飛行模式+最低亮度的靜止功耗在0.78W左右（下面所有GPUGFLOPS截圖都在該設(shè)定），1080P 60Hz模式靜止功耗在0.57W左右。

上面分別是超大核、大核、小核鎖單線程的結(jié)果，貌似GPUGFLOPS根本鎖不住它（性能模式下，軟件功耗測試，結(jié)果僅供參考）

上面分別是CPUMIX2單烤、GPUMADD+ADD單烤、GPUMADD單烤結(jié)果。室溫27之下，無論是否性能模式，GPU火力全開都只能堅持3、4分鐘。

在AndSPEC測試中，效果如圖，功耗單位錯亂，但不影響結(jié)果。感興趣的用戶可以參考一下。

量產(chǎn)版的天璣9000，發(fā)熱情況遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于驍龍8 Gen 1和驍龍888，但能效比沒有工程機那么強。即便是臺積電4nm，也頂不住6ML3+4MSLC“PC級緩存”的火力全開。這里也有一部分要怪新的armv9指令集和拉胯的X2架構(gòu)。

在頻率和溫度監(jiān)控時，也能發(fā)現(xiàn)在GPU GFLOPS等烤機工具中，其核心溫度漲得很快。讓人不禁想起使用臺積電7nm工藝的AMD。過于先進的制程，過小的Die尺寸，積熱問題讓風(fēng)冷水冷眾生平等。

類似緩存等電路結(jié)構(gòu)的巨大發(fā)熱，PC主動散熱才能壓住。當(dāng)移動SoC有接近規(guī)模時，要手機的小銅箔、小VC均熱板來壓，確實不太現(xiàn)實。手機這種移動產(chǎn)品，完全不適合高功率的SoC，即便性能比現(xiàn)在強幾倍都是枉然，驍龍8 Gen 1和天璣8100就是最好的相反例子。