近日，西部數(shù)據(jù)發(fā)布了新一代UFS 3.1閃存——iNAND MC EU551系列。該系列UFS 3.1閃存產(chǎn)品，可以實(shí)現(xiàn)最高1550MB/s的超高寫入速度，主要針對(duì)5G手機(jī)日漸增加的數(shù)據(jù)量打造。

據(jù)悉，iNAND MC EU551系列閃存是西部數(shù)據(jù)的第二代UFS 3.1閃存，支持UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lanee，支持rite Booster 和 Host Performance Booster 2.0，寫入速度可達(dá)1550MB/s。可以滿足5G旗艦手機(jī)對(duì)于存儲(chǔ)容量和性能的需要，特別是應(yīng)對(duì)VR/AR、游戲及8K視頻等應(yīng)用的普及。

容量方面，iNAND MC EU551系列有128、256及512GB三種規(guī)格，預(yù)計(jì)今年7月份開始上市。