我們一般看手機的性能，都主要就是關(guān)注這個處理器的配置了，它是性能最為核心的，其實除了處理器之外，這個內(nèi)存和閃存的規(guī)格也是同等重要的，那這款vivo S19 Pro是什么規(guī)格的內(nèi)存和閃存UFS呢，下面帶大家來看看具體的介紹吧。

vivo S19 Pro是什么規(guī)格的內(nèi)存和閃存UFS

LPDDR5X規(guī)格的內(nèi)存，UFS3.1規(guī)格的閃存，沒錯，這次的配置的就是UFS3.1的閃存，并不是UFS4.0。

和標準版的直屏不一樣，這款vivo S19 Pro采用的是常規(guī)的雙曲屏設(shè)計，4500nit峰值亮度，6.78英寸，2800x1260像素，120Hz高刷，300Hz觸控采樣率，一般來說，雙曲屏目前還是要比等深四曲屏較為常見，后者還是主要在高端機型上。

在性能上，它搭載第二代4nm工藝的天璣9200+芯片，仍然采用了我們熟悉的1+3+4三層架構(gòu)，但與前代天璣9200芯片相比，各項頻率都得到了提升。

其中，X3大核的頻率從3.05GHz提升到了3.35GHz，A715大核的頻率從2.8GHz增加到了3.0GHz，而小核A510的頻率也從1.8GHz提升到了2.0GHz。

并且，它還配備了高達512GB的UFS 3.1閃存和至高16GB的LPDDR5X運行內(nèi)存，形成了標準的性能鐵三角，這意味著它不僅在處理速度上表現(xiàn)出色，還能提供超大的存儲空間和流暢的多任務(wù)處理能力。

可以說，在天璣9200+芯片的支持下，vivo S19 Pro在性能和功耗方面實現(xiàn)了更加平衡的狀態(tài)。

總的來看， 這次的vivo S19 Pro配置的是LPDDR5X規(guī)格的內(nèi)存，UFS3.1規(guī)格的閃存。