一款手機(jī)的核心配置上，有時(shí)候我們會(huì)看這個(gè)內(nèi)存和閃存，因?yàn)椴煌?guī)格的內(nèi)存和閃存也是會(huì)影響實(shí)際的性能表現(xiàn)了，那這次的榮耀X60 GT是什么規(guī)格的內(nèi)存和閃存UFS呢，關(guān)于這個(gè)問題，下面帶大家來看看相關(guān)的介紹。

榮耀X60 GT是什么規(guī)格的內(nèi)存和閃存UFS

LPDDR5規(guī)格內(nèi)存 + UFS 3.1規(guī)格閃存。

在這個(gè)核心方面，這一代的榮耀X60 GT搭載了第一代驍龍8+移動(dòng)平臺(tái)（臺(tái)積電4nm工藝），主頻高達(dá)3.0GHz，配合LPDDR5X內(nèi)存與UFS 3.1閃存，形成“性能鐵三角”。

實(shí)測綜合性能得分超110萬，超越同價(jià)位天璣7200 Ultra等中端芯片，接近驍龍8Gen2水平。

游戲場景表現(xiàn)亮眼：在《原神》須彌城跑圖測試中，平均幀率穩(wěn)定58.7fps，最高畫質(zhì)下機(jī)身溫度僅43.5℃；《王者榮耀》120幀模式下幀率波動(dòng)小于0.5fps，功耗低至4.2W。

釋放旗艦芯片的極限性能，榮耀X60 GT配備了超大面積散熱系統(tǒng)。

5514mm2 VC液冷均熱板：覆蓋主板與電池區(qū)域，配合3D石墨烯散熱材質(zhì)，導(dǎo)熱效率提升40%，連續(xù)游戲時(shí)核心溫度控制在40℃以內(nèi)。

多層級散熱設(shè)計(jì)：從芯片到外殼形成高效熱傳導(dǎo)路徑，避免局部過熱導(dǎo)致的降頻問題，保障長時(shí)間高負(fù)載運(yùn)行的穩(wěn)定性。