紅米R(shí)edmi K50首發(fā)天璣8100芯片，這是一顆采用了臺(tái)積電5nm制程工藝的芯片，其理論性能對(duì)標(biāo)上一代的驍龍888芯片。相較于前者，其功耗更低，就是不知道這個(gè)機(jī)型在玩原神的原神體驗(yàn)如何，于是我們選擇在稻妻主城進(jìn)行了30分鐘的壓力測(cè)試，來看一看Redmi K50的溫控、幀率和性能釋放表現(xiàn)如何。

在30分鐘的壓力測(cè)試下，Redmi K50跑出了56.02幀的平均幀數(shù)，70次/小時(shí)的卡頓數(shù)和最差24幀的丟幀情況，這一成績(jī)還算不錯(cuò)。

重點(diǎn)還是要曲線變化圖，可以看到前20分鐘時(shí)Redmi K50僅會(huì)有偶爾小幅的幀率波動(dòng)，整體曲線還是比較平緩的。而20分鐘之后可以看到Redmi K50出現(xiàn)了比較明顯的幀率波動(dòng)，從60降至55，再降至50，最低會(huì)至45幀，隨后再次回到55幀，依次反復(fù)。

猜測(cè)這樣的溫度變化應(yīng)該是在20分鐘時(shí)出現(xiàn)了撞墻（溫度or功耗），手機(jī)需要通過降低幀率來控制溫度。不過其實(shí)考慮到我們打手游的習(xí)慣，20分鐘前可以滿幀運(yùn)行也基本足以應(yīng)付我們的日常使用。

30分鐘的游戲之后我們使用溫槍測(cè)量了手機(jī)表面的溫度，Redmi K50屏幕處為40.5℃，電池處中心為36.7℃，SoC正反兩面分別為41.7℃和44.2℃，溫度上升幅度較大，手持時(shí)很明顯的發(fā)熱感。

接著我們考慮到玩家的實(shí)際游戲場(chǎng)景，進(jìn)行了5分鐘的實(shí)測(cè)，進(jìn)行釋放技能、跑圖等操作?？梢钥吹皆谶@樣操作更復(fù)雜、特效更繁多的場(chǎng)景中Redmi K50平均幀率來到了57.47幀。

游戲方面總體來說天璣8100的表現(xiàn)還是很不錯(cuò)的，相比天璣9000僅在發(fā)熱上有一定的劣勢(shì)，不過如果考慮到短時(shí)高頻的手游游戲場(chǎng)景，這一劣勢(shì)我覺得完全是可以接受的。