在這個核心配置上，真我GT2大師探索版搭載了全新一代驍龍8+旗艦芯片處理器，以及首發(fā)了新一代X7獨顯芯片和LPDDR5X。如果是今年上半年的明星芯片是天璣9000，那么今年下半年的明星芯片自然就是剛剛上線不久的驍龍8+Gen1。對比前代芯片，驍龍8+Gen1的各項規(guī)格其實相差不大，除了超大核CortexX2和小核CortexA510的頻率均提高了0.2Ghz，還是采用了全新的臺積電4nm工藝制程打造這點更令人感興趣。

具體來看，「驍龍8+」采用了臺積電4nm工藝，3.2GHzCortex-X2超大核×1，2.75GHzA710大核×3，2.0GHzA510小核×4，CPU性能提升10%，GPU為Adreno730，但頻率提升了10%，CPU/GPU功耗降低30%，Soc整體功耗降低15%，第七代高通AI引擎能效提升20%。

這枚X7獨顯芯片，相較于上一代，實現(xiàn)了算力提升，最高4倍插幀技術(shù)，同時延遲也大幅降低，還支持游戲超分功能。值得一提的是，這枚“獨顯”也讓真我GT2大師探索版支持了DC調(diào)光。

LPDDR5X對比LPDDR5，綜合功耗則降低了20%（非整機(jī)功耗）。

此外，真我GT2大師探索版還搭載了100W秒充、5000mAh超大電池，散熱部分則首次搭載了雙VC冰芯散熱Max系統(tǒng)，相比前代產(chǎn)品，VC液冷散熱面積提升154%，達(dá)到了4811mm2，堪比專業(yè)游戲手機(jī)，散熱總面積高達(dá)37904mm2，對比上一代提升206%，堪稱真我有史以來最大散熱面積。

從配置來看，真我GT2大師探索版基本算是目前的安卓性能天花板了，下面我們通過跑分，來看看真我GT2大師探索版的理論性能水準(zhǔn)。

如上圖所示，真我GT2大師探索版安兔兔綜合成績?yōu)?053938分，作為對比，上一代驍龍8，部分機(jī)型在適當(dāng)條件下，能夠跑到100萬分出頭的成績。

閃存性能測試中，寫入速度達(dá)到了1718MB/s，UFS3.1的頂級水準(zhǔn)。

更側(cè)重GPU理論性能的3DMark，在WildLife測試項目中，真我GT2大師探索版總分10359，其中平均幀率為62FPS，天花板水平了。

GeekBench5跑分方面，真我GT2大師探索版單核為1345分，多核4059，相較于驍龍8，驍龍8+的單核、多核分?jǐn)?shù)都有不同程度的增加。

（不同機(jī)型性能調(diào)教不同，上述跑分僅供參考）