在手機(jī)性能配置方面，內(nèi)存和閃存的規(guī)格也是起著決定性的作用的，咱們的常說的性能三劍客就是指的處理器和內(nèi)存以及閃存，單打是內(nèi)存和閃存對處理器的性能發(fā)揮也是有著重要的影響，這次的vivo X Flip采用的是LPDDR5X內(nèi)存和UFS4.0閃存，也是當(dāng)前旗艦手機(jī)常用的規(guī)格，對于這個內(nèi)存和閃存的讀寫速度很多人是比較好奇的，下面就一起來看看吧測試體驗(yàn)吧。

在這個性能方面，vivo X Flip搭載是高通驍龍8+芯片，搭配了LPDDR5X內(nèi)存和UFS4.0閃存，不但能夠大幅度降低功耗，性能也非常的強(qiáng)悍。驍龍8+芯片使用4nmMEP制程工藝，基于ARMv9指令集公版Cortex核心打造Kryo780CPU，集成Adreno730GPU和驍龍X65 5G基帶，對比上一代驍龍8芯片，CPU和GPU性能均提升10%。CPU和GPU功耗均降低30%，SoC整體功耗降低15%。vivo X Flip的安兔兔跑分成績?yōu)?06萬分，符合我們隊(duì)第一代驍龍8+芯片的預(yù)期。

Androbench

在閃存測試方面，通過AndroBench實(shí)測，vivo X Flip的順序讀取速度為1832.66MB/s，順序?qū)懭胨俣葹?744.32MB/s，屬于標(biāo)準(zhǔn)的UFS3.1閃存應(yīng)有的水平。

內(nèi)存測試

內(nèi)存測試，12GB四通道的LPDDR56400Mbps規(guī)格內(nèi)存，復(fù)制速度達(dá)到近1.8GB/s，寫入速度達(dá)到近5.0GB/s。